分類與區(qū)別

實(shí)際的電路應(yīng)用中又根據(jù)其封裝方式的不同分為貼片可調(diào)電容（SMD），插件可調(diào)電容（DIP）；根據(jù)制造材料的不同又可分為陶瓷可調(diào)電容，PVC可調(diào)電容，空氣可調(diào)電容等。通常在實(shí)際的電路應(yīng)用上微調(diào)電容與可調(diào)電容是有區(qū)別的，表現(xiàn)在： 微調(diào)電容：讓兩極板的距離、相對位置或面積可調(diào)，便構(gòu)成微調(diào)電容.它的介質(zhì)有空氣、陶瓷、云母、薄膜等。

構(gòu)成

可調(diào)電容器是由兩片或者兩組小型金屬彈片中間夾著介質(zhì)制成的，調(diào)節(jié)的時候，改變兩片之間的距離或者面積。半可調(diào)電容器的外形：一般沒有柄，只能用螺釘旋具調(diào)節(jié)，因此常用在不需要經(jīng)常調(diào)節(jié)的地方。

主要參數(shù)

1、標(biāo)稱電容量和允許偏差

標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。 電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。

精度等級與允許誤差對應(yīng)關(guān)系：00（01）-±1[%]、0（02）-±2[%]、Ⅰ-±5[%]、Ⅱ-±10[%]、Ⅲ-±20[%]、 Ⅳ-（+20[%]-10[%]）、Ⅴ-（+50[%]-20[%]）、Ⅵ-（+50[%]-30[%]）

一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級，電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級，根據(jù)用途選取。

2、額定電壓

在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標(biāo)注在電容器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的永久損壞。

3、絕緣電阻

直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻.當(dāng)電容較小時，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量〉0.1uf時，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越大越好。

電容的時間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。

4、損耗

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電容在電場作用下，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。

在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。

5、頻率特性

隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。